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克日，电子科学与工程学院王欣然教授、王肖沐教授和施毅教授团队在二维质料领域取得主要希望，相关效果划分以“Uniform nucleation and epitaxy of bilayer molybdenum disulfide on sapphire”和“Observation of Chiral and Slow Plasmons in Twisted Bilayer Graphene”为题，5月4日同期在线揭晓于《自然》。

发明扭角石墨烯中等离激元新物态

外貌等离激元，对光场具有亚波长标准的局域能力,在微纳光子学和集成光电器件、超区分成像等领域有辽阔的应用远景。古板等离激元金属和情形介质的光学性子亲近相关，容易受到金属欧姆消耗和情形因素影响。拓扑特征中的边沿态可以对等离激元实现掩护，抑制消耗，探索这类等离激元新模式有望资助解决等离激元纳米光子器件消耗高的要害问题。

王肖沐教授和施毅教授研究团队，在扭角石墨烯质料中提出并实现了一类全新的等离激元模式：手性贝利等离激元。研究团队凭证扭角石墨烯的结构手性，展现了强关联能态的拓扑特征，预言了非零贝利曲率在中红外频段可以引入变态霍尔电导。在此基础上，团队制备了具有长程高度有序摩尔超晶格的扭角石墨烯质料，并系统地研究了红外外貌等离激元响应。视察到了具有手性特征的贝利等离激元边沿态，并验证了通过电场调控实现的开关操作。研究效果通过拓扑边沿态掩护等离激元，有用降低了消耗，在中远红外光电器件、量子盘算和纳米光学等方面具有重大应用潜力。

图1 扭角石墨烯示意图（a）及光学显微镜图像（b）（c）扭角石墨烯纳米条带中的红外等离激元响应。在15微米（650cm-1）长波红外规模内，手性纳米条带中泛起新的具有拓扑特征的贝利等离激元新模式。

扭角石墨烯是一类具有富厚多体相互作用的强关联电子质料。通过改变层间扭转角度，掺杂等条件，可以对电子的能态举行无邪地调控，实现超导、拓扑等奇异物态。研究团队指出，由于扭角石墨烯自身的非中心对称结构，在突破时间反演对称性的条件下，会爆发非零的贝利曲率，进而在质料中引入非零的横向光电导（即变态霍尔电导）。将这种拓扑能态与等离激元团结，可以有用降低其散射消耗。研究团队依据这样的思绪，制备了大面积的“魔角”（1.08°扭角的双层石墨烯），并在其上修建了具有手性结构的纳米条带。

图2 光照强度（a）和静电掺杂（b）敌手性贝利等离激元边沿模式共振能级劈裂的调控作用。

在这种同时突破空间和时间反演对称性的条件下，非零贝利曲率在纳米条带中通过拓扑边沿态形成了手性贝利等离激元新模式。实验上，手性等离激元以共振峰位的劈裂为标记。而通过光强和掺杂，可以调控贝利曲率的巨细，进而调制能级劈裂的开关。手性等离激元保存的另一个证据是零磁场法拉第效应，即光通过质料时其偏振偏向会爆发偏转。实验中实现了高达15°的极化旋转。这些非磁场下的奇异光学效应，在制作偏振片等主要光学应用上有着普遍的远景。

南京大学王肖沐/施毅教授团队，专注于于高性能红外光电器件的研究事情。近年来，获得了以弹道雪崩光电探测器（Nature Nanotechnology,14,217(2019））和能谷光电子器件（Nature Nanotechnology,15,743(2020））为标记的系列立异效果。本次的研究事情，是该团队在普遍国际合作支持下，通过系统强相互作用和谷电子特征对光子举行有用调控实现的一个突破性希望。南京大学电子科学与工程学院硕士生黄天烨为第一作者，电子科技大学李雪松教授课题组完成了单晶石墨烯的生长事情，明尼苏达大学 Tony Low教授课题组完成了主要盘算事情，中科院沈阳金属所杨腾研究员、北京盘算所邵磊副研究员的课题组协助完成了部分盘算事情。南京大学微制造与集成工艺中心在微加工方面给予了主要的支持。该事情获得国家科技部重点研发妄想、自然科学基金重点项目、江苏省双创团队和中科院先导妄想等项目资助。

突破双层二维半导体外延生长焦点手艺

集成电路摩尔定律是推感人类信息社会生长的源动力。目今，集成电路已经生长到5nm手艺节点，继续维持晶体管尺寸微缩需要追求质料的立异。近年来，以MoS2为代表的二维半导体在电子器件和集成电路等领域获得了迅速的生长，王欣然教授课题组在该领域恒久积累，2021年在《Nature Nanotechnology》一连报道了大面积MoS2单晶制备以及MoS2驱动的超高区分Micro-LED显示手艺两个效果。

只管学术界和工业界在单层二维半导体生长方面已经取得了很大的希望，可是单层质料在面向高性能盘算应用时依然受限。相比于单层MoS2，双层MoS2具有更窄的带隙和更高的电子态密度，理论上可以提升驱动电流，更适合应用于高性能盘算。然而，由于质料生长热力学的限制，“1+1=2”的逐层生长要领难以给出匀称的双层，因此层数可控的二维半导体外延制备一直是尚未解决的难题。

图3 双层MoS2生长机制

针对该问题，王欣然教授与东南大学合作，另辟蹊径，提出了衬底诱导的双层成核以及“齐头并进”的全新生长机制，在国际上首次报道了大面积匀称的双层MoS2薄膜外延生长。研究团队首先举行了理论盘算，发明虽然单层生长在热力学上是最稳固的，可是通过在蓝宝石外貌构建更高的“原子梯田”，可以实现边沿对齐的双层成核，从而突破了“1+1=2”的逐层生长古板模式局限（图3）。研究团队使用高温退火工艺，在蓝宝石外貌上获得了匀称漫衍的高原子台阶，乐成获得了凌驾99%的双层形核，并实现了厘米级的双层一连薄膜。原子力显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱和荧光光谱等多种表征手段均证实晰双层薄膜的匀称性。进一步，团队证实晰双层MoS2与蓝宝石衬底具有特定的外延关系，以及双层MoS2的层间具有2H和3R两种堆垛模式，并在理论上给出相识释。

图4 双层MoS2的晶体管器件性能

研究团队进一步制造了双层MoS2沟道的场效应晶体管（FET）器件阵列，并系统评估了其电学性能（图4）。相比单层质料，双层MoS2晶体管的迁徙率提升了37.9%，抵达~122.6cm2V-1S-1，同时器件均一性获得了大幅度提升。进一步，团队报道了开态电流高达1.27 mA/μm的FET，刷新了二维半导体器件的最高纪录，并凌驾了国际器件与系统蹊径图所妄想的2028年目的。

该事情突破了层数可控的二维半导体外延生长手艺，并且实现了最高性能的晶体管器件。南京大学电子科学与工程学院博士生刘蕾为第一作者，王欣然教授、李涛涛副研究员和东南大学王金兰教授、马亮教授为论文配合通讯作者，南京大学施毅教授、聂越峰教授、王鹏教授以及微制造与集成工艺中心对该事情举行了指导和支持。该研究获得了江苏省前沿引领手艺基础研究、国家重点研发妄想和国家自然科学基金等项目的资助。

（文章泉源：南京大学电子科学与工程学院）